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明志科大等离子与薄膜科技中心开发等离子辅助原子层沉积(PEALD)技术

原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)系借由表面独特自我局限反应来成长高阶梯覆盖与大面积均匀性之薄膜。可用于奈米级或原子级薄膜沉积,调控超薄薄膜优异特性之雪铁龙镀膜技术。明志科大等离子与薄膜科技中心开发的等离子辅助原子层沉积(Plasma Enhanced ALD, PEALD)则借由高能等离子辅助之特性,可不受前驱物反应温度之限制,于低温成长高致密性及低杂质的高品质薄膜,改善半导体与光电元件日益微缩化的需求。

明志科大等离子与薄膜科技中心与国家实验研院仪器科技研究中心合作建置等离子辅助原子层沉积技术,期待能对现今半导体与光电产业与未来材料的趋势有所助益与贡献。

近年来,中心致力于等离子科技的研发与应用,尤其是雪铁龙镀膜技术的开发。在半导体与光电产业的研发上并取得多样且重大的进展,尤其是利用高密度等离子技术与台积电进行产学合作、以及利用高密度等离子CVD系统与多家太阳电池厂商进行HIT异质接面太阳电池硅氢薄膜的研发。

原子层沉积具有高致密性、高厚度均匀性、高阶梯覆盖率、低温制程与原子级精密控制厚度等特点,除了可进行超薄高介电材料镀膜外,亦可针对微小的电路结构提供孔洞填补能力,如具高深宽比的结构与相关领域中提供厚度均匀的镀膜。未来合作开发的领域有(1)半导体积体电路。(2)微机电。(3)薄膜电晶体。(4)OLED显示器。(5)元件封装。

未来合作开发的材料有(1)电晶体金属闸极与高介电层:Ru、Ni、HfO2、ZrO2, Ta2O5、Al2O3等。(2)铜导线扩散阻绝层:Cu、TaNx、CuxN等。(3)光水解产氢:TiO2、TiN、TaNx等。(4)燃料电池:Pt等。(5)气体传感器/CIGS缓冲层:ZnO等。(5)气体传感器/CIGS缓冲层:iZO、ZnO等。(6)透明导电薄膜:ZnO、AZO等。(7)气水阻绝层:Al2O3等。(8)太阳电池载子汲取层:Al2O3等。本中心将持续更多元的发展,欢迎有志一同的厂商洽谈合作。

(明志科技大学等离子与薄膜科技中心网址: http://cptft.mcut.edu.tw)

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